ANKET

Sitemizde En Çok Hangisinin İncelemesini Görmek İstersiniz ?

Dizüstü Bilgisayar - 16 ( 28.07 % )

Ekran Kartı - 10 ( 17.54 % )

RAM - 1 ( 1.75 % )

Intel NUC Mini Bilgisayar - 1 ( 1.75 % )

USB Bellek - 2 ( 3.51 % )

Sadece SSD Yeterli ! - 27 ( 47.37 % )

TÜM ANKETLER

TOPLAM REY : 57

SON TWEETLER

Samsung 850 EVO 250GB İncelemesi: Üç Başlı V-NAND

Yazar: 11-04-15  4:04

İki sene kadar evvel Samsung, Flash endüstrisi için bir kilometre taşı teşkîl eden 3D NAND teknolijisi üzerinde müşahhas çalışmaları bulunduğunu duyurmuş ve geçtiğimiz temmuz ayında da bunun mücessemleşmiş hâli olan 850 Pro serisini çıkarmıştı. Kendi tâbirleriyle V-NAND'lar ile donatılan bu seri ile firma, SSD sahasında bir ilke imza atmakla kalmamış, tâbir-i caizse rakib NAND üreticilerinden de fersah fersah ileriden seyrettiğini isbât etmişti. Öyle ki, Toshiba ve Intel gibi devlerin kendi üç boyutlu NAND'larını en erken 2015'in sonlarına doğru tedârik etmeye başlayabilecekleri haberi de bu hakîkati tasdikler nitelikteydi.

 

Her ne kadar rakiblerinden evvel davranarak bu teknolojiyi tüketicilere en erken şekilde sunmaya muvaffak olsa, yüksek üretim mâliyetleri Samsung'u düşündürmekteydi. Hücre sütunlarına üçüncü boyutu kazandırırken temeli de sağlam kılabilmek, kullanılan hammadde târifine yeni elementleri dâhil etme mecbûriyeti ve artan mühendislik gayretleriyle mümkün olduğundan bir V-NAND zarının mâliyeti, iki boyutlu düz zarlardan hatırı sayılır derecede yüksek çıkmaktaydı.

 

w

 

Böyle bir yokuşu aşmak için sayısı mevcudda 32 olan tabakaların miktarını artırmak bir çözüm teşkîl edebilirdi. Lâkin bunun için de NAND'ları vücûda getiren tezgâhların baştan uyarlanması gerekiyordu ki bu da kısa vâdede astarını geçen bir çözüm olurdu. Peki üretim mâliyetlerini düşürmek için en makûl yol neydi ? Pek tabii ki hücre içindeki bitleri üçlemek ! Çünkü bu, Samsung'un zâten mâhir olduğu bir konuydu ve 3D NAND'lar üzerinde TLC'ye geçmek artık eskisi gibi düşündürücü bir fikir değildir. Ardından firma kolları sıvar ve hücre başına üç bit yerleştirilen 2. nesil V-NAND'lı ilk katı hâl diski husûle erer: Samsung 850 EVO

 

Geçtiğimiz seneki Flash Memory Summit fuarında hakkında muhtelif bilgiler yayımlanan serinin önündeki perde aynı yılın aralık ayında kaldırılır. Tepe seviyeye konumlandırılan 850 Pro'ya kardeş olarak gelen 850 EVO serisi ile Samsung, kullanıcıların ekserisince teveccüh göre fiyat / performans odaklı orta sınıfa hitâb etmek istemiştir.

 

Samsung-850-EVO-Teknik-Tablo

 

Teknik özellik tablosunda göze ilk çarpan husus serinin kapasite seçeneklerinde gidilen değişiklik. Selefde yer verilen fakat kullanıcılarca pek tutulmayan 750GB'lik model artık burada yok. Ve Samsung'un ifâde ettiğine göre 2TB'lik bir model daha eklenebilirmiş, lâkin muhtemel taleb azlığından ötürü bu fikirden vazgeçilmiş. Tabloda dikkat çeken ikinci husus ise hafifçe yükselmiş bulunan güç tüketim değerleri. Buna da ileride detaylıca değineceğiz.

 

Samsung 850 EVO, kontrolcü cihetinden ikiye ayrılmakta. 120GB, 250GB ve 500GB'lik modellerde firmanın yeni nesil denetleyicisi olan MGX kullınılarken 1TB'lik tepe modelde bildiğimiz MEX yongasına yer verilmekte. İsim itibâriyle yeni durması sizi yanıltmasın. Çünkü MGX, performansda çıtayı yukarıya taşıyan bir kontrolcü değil. Temelde çift çekirdekli bir yapıyı baz alan bu yongadan Samsung'un murâdı da 3-bit V-NAND'a geçişte yükselen güç tüketimini dizginlemek. Düşük kapasiteli modellerde page ve block sayıları da hâliyle az olacağından MEX'in üçüncü çekirdeğinin teâmülde getireceği faydadan çok güç tüketimine bindireceği yükten tevahhuş eden Samsung iş bu noktada MGX'e hayat vermeyi seçmiş.

 

w

 

3D NAND'ların seri üzerindeki fizikî tezâhürlerinin  başında devre kartlarının küçülmesi geliyor. Öyle ki, 120GB ve 250GB'lik modeller yapı itibâriyle Half SATA arabimine benzemekte. Artık 128Gbit'e yükselen NAND yoğunluğu ve 32 tabakanın bir araya gelmesiyle fazla sayıda paket kullanımına da gerek kalmamış. Ki serinin en küçük modelinde sadece bir NAND paketi bulunmakta. Kapasiteye muvazî şekilde bellek yongalarının sayısı da artmakta.

 

TLC tipi NAND Flash bellekler hakkında bilinmesi icâb eden temel bilgilere şu yazımızda değinmiştik. Şimdi ise bunun V-NAND'a taâlluk eden kısmını eğilelim ve Samsung'un bu yeni tasarım ile neler vaad ettiğine kısaca bakalım.

 

Seride kullanılan V-NAND'lar da aynı şekilde 40nm üretim tekniğiyle hazırlanmakta. Hızlıca bir hatırlarsak, 840 EVO serisindeki TLC tipi NAND'lar iki boyutlu olup üretim tekniği de 19nm idi. Yâni hem hücre ebatları ufaktı hem de her birinin içine 3 adet bit yerleştirilmekteydi. Ve içeride her bit kendi telinden çaldığından meydana gelen parazitlenme neticesinde bir yandan performans diğer taraftan da yazma ömrü düşmekteydi. Lâkin bu durum V-NAND'larda biraz farklı. Hücre içleri yeteri kadar geniş ve ferah. Hâliyle TLC türünün buraya uygulanmasına pek müsait bir yapı arz etmekte.

 

Samsung-TLC-V-NAND-

 

 

Ve Samsung'un belirttiğine göre her ikisi de TLC tabanlılardan olan 3D V-NAND, geleneksel 2D Planar'a kıyasla 10 kat daha az voltaj parazitlenmesi, okumada iki kat düşük güç tüketimi ve yine iki kat daha yüksek yazma hızı sağlayabilmekte. Rakamlar pek hoş ve TLC'nin esâsında 3D teknolojisine ne kadar da muhtaç olduğunu gösterir nitelikte.

 

Her NAND paketinin içerisinde toplamda 8 adet die bulunuyor. Yâni bu da MGX kontrolcüsünün kanal başına sekiz hat üzerinden zarlarla haberleşebildiğini göstermekte. Seri için belirlenen Over-Provisioning değerleri de yine kapasiteye göre değişmekte. Bu rakam 120GB'lik modelde %12.7 iken geri kalan tümünde %9.1 şeklinde. Ailenin en ufak üyesine bu noktada cömert davranılması onun, zâten cılız duran bacaklarını biraz daha sağlam tutabilmesi için yapılan bir ikram niteliğinde.

 

Yerleşik NAND'ların bir kısmını SLC modunda çalıştırıp TLC türü yongaların düşük yazma hızlarını yukarıya çekmeyi sağlayan TurboWrite teknolojisini Samsung, ilk kez 840 EVO serisinde kullanmış idi. Neseben aynı aileden gelen 850 EVO'da da bu özelliğe yer verilmiş durumda.

 

Samsung-850-EVO-TurboWrite

 

NAND'lar üzerinden TurboWrite için tahsis edilen miktar, 840 EVO serisindekiyle aynı. İşletim sisteminden gelen yazma komutları evvelâ bu SLC kısma işlenmekte ve disk boşta iken TLC yongalara taşınmakta. Lâkin, bir sefer de yazılacak veri miktarının TurboWrite için tampon boyutunu geçmesi durumunda yazma hızının tekrar düşmesi söz konusu. Bunu da basit bir test ile ileride müşâhede edeceğiz.

 

Güç tüketiminde DevSleep ihtivâ eden 850 EVO'nun şifreleme kâbiliyetleri arasında AES 256-bit, TCG Opal 2.0 ve IEEE-1667 ( eDrive ) bulunmakta. Seri ayrıca firmanın 850 Pro ile birlikte duyurduğu RAPID 2.0 teknolojisini de sunmakta. İlk sürümüne kıyasla iyileştirmeler taşıyan yeni RAPID'de performans dalgalanmaları asgarîye indirilmeye çalışılmış.

 

Son olarak, serinin kutu içeriği ve detaylı diğer fotoğraflarını topladığımız galeri şöyledir:

 

Galeri: Samsung 850 EVO 250GB


wwwwww

 

 

 

Girizgâh